Τρανζίστο& | Διακριτά π& | 100

SIHB6N65E-GE3

μέρους: 74088

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 650V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 7A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

SIHG33N65E-GE3

μέρους: 15732

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 650V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 32.4A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 16.5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRF9540SPBF

μέρους: 17552

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 19A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 11A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

SIHB12N60ET5-GE3

μέρους: 4310

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 12A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRFIZ48GPBF

μέρους: 26454

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 37A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 22A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

SIHF8N50D-E3

μέρους: 39844

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 8.7A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

SIHP065N60E-GE3

μέρους: 17053

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 40A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 16A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRLI630GPBF

μέρους: 27818

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 6.2A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 3.7A, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

SUA70090E-E3

μέρους: 41158

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 42.8A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 20A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRF840SPBF

μέρους: 42587

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 8A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.8A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

SIHF15N60E-GE3

μέρους: 21441

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 15A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 8A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

SIHP24N65E-E3

μέρους: 11614

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 650V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 24A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 12A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

SIHF10N40D-E3

μέρους: 38812

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 400V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 10A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

SIHP25N40D-E3

μέρους: 43237

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 400V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 25A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 13A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRF530SPBF

μέρους: 39814

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 14A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 8.4A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

SIHF35N60E-GE3

μέρους: 11415

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 32A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 17A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

SIHA11N80E-GE3

μέρους: 5248

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 800V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 12A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 5.5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

SIHA18N60E-E3

μέρους: 4363

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 18A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202 mOhm @ 9A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRF620SPBF

μέρους: 35920

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 5.2A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 3.1A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRF9Z30PBF

μέρους: 35956

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 50V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 18A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 9.3A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRF740STRLPBF

μέρους: 62871

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 400V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 10A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 6A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRFI9620GPBF

μέρους: 26902

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 3A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.8A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRFU9010PBF

μέρους: 43416

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 50V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 5.3A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 2.8A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRF520SPBF

μέρους: 48527

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 9.2A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 5.5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRLZ44PBF

μέρους: 32760

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 50A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 31A, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRF730APBF

μέρους: 38973

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 400V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.3A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRFBC30ASPBF

μέρους: 40690

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 3.6A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRFZ48SPBF

μέρους: 43300

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 50A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 43A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

SIHA6N80E-GE3

μέρους: 5303

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 800V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 5.4A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940 mOhm @ 3A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRF9Z24PBF

μέρους: 42904

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 11A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 6.6A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRFB20N50KPBF

μέρους: 16860

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 20A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 12A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRFI634GPBF

μέρους: 28577

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 250V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 5.6A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 3.4A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

SIHP35N60E-GE3

μέρους: 10938

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 32A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 17A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

SIHP6N40D-GE3

μέρους: 135312

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 400V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 6A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRL630STRLPBF

μέρους: 49603

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 9A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 5.4A, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRFS11N50ATRLP

μέρους: 42012

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 11A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 6.6A, 10V,

Λίστα επιθυμιών