Τρανζίστο&

Σπίτι
Τρανζίστο&

Vishay Siliconix

IRLZ24LPBF

μέρους: 40522

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 17A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 10A, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRFR1N60APBF

μέρους: 42906

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1.4A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 840mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRFU320PBF

μέρους: 59133

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 400V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 3.1A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 1.9A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRLZ34SPBF

μέρους: 65711

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 30A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 18A, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRF740SPBF

μέρους: 32066

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 400V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 10A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 6A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRF644SPBF

μέρους: 22482

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 250V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 14A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 8.4A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

SQM50N04-4M1_GE3

Vishay Siliconix

SQM50N04-4M1_GE3

μέρους: 54495

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 50A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 30A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRFR220PBF

μέρους: 87182

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 4.8A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.9A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

SUM90140E-GE3

μέρους: 40351

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 90A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 30A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRFIZ34GPBF

μέρους: 31492

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 20A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 12A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRF840ASTRLPBF

μέρους: 69055

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 8A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.8A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRFD310PBF

μέρους: 40487

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 400V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 350mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 210mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRF710PBF

μέρους: 73277

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 400V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRF720PBF

μέρους: 72522

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 400V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 3.3A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 2A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

SIHA21N60EF-E3

μέρους: 16530

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 21A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176 mOhm @ 11A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

SIHA24N65EF-E3

μέρους: 11308

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 650V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 24A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 12A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRFB18N50KPBF

μέρους: 4951

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 17A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 10A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRF730STRLPBF

μέρους: 54881

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 400V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.3A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

SIHP30N60E-E3

μέρους: 5175

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 29A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 15A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRFZ40PBF

μέρους: 33783

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 50A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 31A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

SIHF15N60E-E3

μέρους: 21455

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 15A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 8A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRL540SPBF

μέρους: 33216

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 28A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 17A, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

SIHP22N65E-GE3

μέρους: 14373

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 650V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 22A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

SIHF12N65E-GE3

μέρους: 55698

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 650V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 12A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

SIHP25N60EFL-GE3

Vishay Siliconix

SIHP25N60EFL-GE3

μέρους: 14011

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 25A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146 mOhm @ 12.5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

SIHP15N60E-GE3

μέρους: 22535

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 15A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 8A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRF510SPBF

μέρους: 56767

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 5.6A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 3.4A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRFD9014PBF

μέρους: 4776

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1.1A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 660mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRFI740GLCPBF

μέρους: 17033

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 400V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 5.7A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 3.4A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRF820SPBF

μέρους: 42605

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

SIHP6N80E-GE3

μέρους: 4334

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 800V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 5.4A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940 mOhm @ 3A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRFIZ24GPBF

μέρους: 37232

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 14A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 8.4A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

SIHP8N50D-GE3

μέρους: 46955

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 8.7A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRFB11N50APBF

μέρους: 37384

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 11A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 6.6A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

SIHF28N60EF-GE3

Vishay Siliconix

SIHF28N60EF-GE3

μέρους: 10582

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 28A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123 mOhm @ 14A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRFR9110PBF

μέρους: 75547

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 3.1A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1.9A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

3600

«
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
»