Menu
ΕλλάδαΕλλάδα
RFQ / παραγγελία
0RFQ / παραγγελία

Τρανζίστο&

NSBA143ZDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA143ZDP6T5G

μέρους: 126178

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSBC114YPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC114YPDXV6T1

μέρους: 1451

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSBC114TPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC114TPDXV6T1

μέρους: 1441

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSBC114EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC114EDXV6T1

μέρους: 1483

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSBC123EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC123EDXV6T1G

μέρους: 51685

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 2.2 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSBA123JDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA123JDXV6T1G

μέρους: 3224

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
EMF5XV6T5
ON Semiconductor

EMF5XV6T5

μέρους: 5392

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, 12V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών
NSBC123JPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC123JPDXV6T1G

μέρους: 150122

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSBC124EDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC124EDXV6T5G

μέρους: 158612

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSVB143TPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVB143TPDXV6T1G

μέρους: 118474

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSBC115EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC115EPDXV6T1G

μέρους: 423

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 100 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 100 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSBA114YDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA114YDXV6T1

μέρους: 1458

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSBA144WDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA144WDXV6T1G

μέρους: 112545

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSBC114TDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC114TDXV6T5G

μέρους: 140654

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
UMA6NT1
ON Semiconductor

UMA6NT1

μέρους: 1476

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
SMUN5114DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5114DW1T1G

μέρους: 172445

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSBC124XPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC124XPDXV6T5G

μέρους: 1491

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
EMD5DXV6T1G
ON Semiconductor

EMD5DXV6T1G

μέρους: 3186

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSBC143EPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC143EPDXV6T1

μέρους: 1462

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
MUN5334DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5334DW1T1G

μέρους: 1472

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
MUN5234DW1T1
ON Semiconductor

MUN5234DW1T1

μέρους: 1434

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
EMG2DXV5T1
ON Semiconductor

EMG2DXV5T1

μέρους: 1505

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSB13211DW6T1G
ON Semiconductor

NSB13211DW6T1G

μέρους: 3211

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 4.7 kOhms, 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 15 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSVUMC5NT2G
ON Semiconductor

NSVUMC5NT2G

μέρους: 151655

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
MUN5312DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5312DW1T1G

μέρους: 189298

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSBC143ZDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC143ZDXV6T1G

μέρους: 189558

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
UMC2NT1G
ON Semiconductor

UMC2NT1G

μέρους: 1438

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
EMD4DXV6T5G
ON Semiconductor

EMD4DXV6T5G

μέρους: 147880

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSBA124EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA124EDP6T5G

μέρους: 21627

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών