Menu
ΕλλάδαΕλλάδα
RFQ / παραγγελία
0RFQ / παραγγελία

Τρανζίστο&

NSBA124EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA124EDXV6T1

μέρους: 1456

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSBC144EPDXV6T5
ON Semiconductor

NSBC144EPDXV6T5

μέρους: 1405

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
EMG2DXV5T5
ON Semiconductor

EMG2DXV5T5

μέρους: 3242

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSBC115EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC115EDXV6T1G

μέρους: 129082

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 100 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 100 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSVMUN5316DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5316DW1T1G

μέρους: 160200

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSB1706DMW5T1G
ON Semiconductor

NSB1706DMW5T1G

μέρους: 136591

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
MUN5133DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5133DW1T1G

μέρους: 183679

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
MUN5316DW1T1
ON Semiconductor

MUN5316DW1T1

μέρους: 1532

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSM21156DW6T1G
ON Semiconductor

NSM21156DW6T1G

μέρους: 1463

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, 65V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
MUN5130DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5130DW1T1G

μέρους: 181618

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 1 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 1 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
MUN5230DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5230DW1T1G

μέρους: 155743

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 1 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 1 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSTB1004DXV5T1G
ON Semiconductor

NSTB1004DXV5T1G

μέρους: 3211

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual),

Λίστα επιθυμιών
NSBC114YPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC114YPDP6T5G

μέρους: 167686

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
MUN5230DW1T1
ON Semiconductor

MUN5230DW1T1

μέρους: 1467

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 1 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 1 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
MUN5136DW1T1
ON Semiconductor

MUN5136DW1T1

μέρους: 1413

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 100 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 100 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
UMA4NT1G
ON Semiconductor

UMA4NT1G

μέρους: 1478

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSBA123EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA123EDXV6T1G

μέρους: 64095

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 2.2 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
SMUN5214DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5214DW1T1G

μέρους: 115714

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSVBC114YPDXV65G
ON Semiconductor

NSVBC114YPDXV65G

μέρους: 1485

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
SMUN5230DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5230DW1T1G

μέρους: 174998

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 1 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 1 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
SMUN5131DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5131DW1T1G

μέρους: 110079

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 2.2 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSBA144EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA144EDP6T5G

μέρους: 162633

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
MUN5137DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5137DW1T1G

μέρους: 3198

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
MUN5315DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5315DW1T1G

μέρους: 150495

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSBC123EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC123EDXV6T1

μέρους: 1458

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 2.2 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
MUN5212DW1T1
ON Semiconductor

MUN5212DW1T1

μέρους: 1497

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSBC124EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC124EPDXV6T1G

μέρους: 188714

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
EMC5DXV5T1G
ON Semiconductor

EMC5DXV5T1G

μέρους: 130128

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSVB123JPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVB123JPDXV6T1G

μέρους: 107622

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSBA115TDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA115TDP6T5G

μέρους: 146030

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 100 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
MUN5232DW1T1
ON Semiconductor

MUN5232DW1T1

μέρους: 1444

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSBC123JPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC123JPDXV6T1

μέρους: 1461

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
EMD5DXV6T5G
ON Semiconductor

EMD5DXV6T5G

μέρους: 162821

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSBA114YDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA114YDP6T5G

μέρους: 197883

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSVUMC2NT1G
ON Semiconductor

NSVUMC2NT1G

μέρους: 193262

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
SMUN5235DW1T3G
ON Semiconductor

SMUN5235DW1T3G

μέρους: 170254

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών