μέρους: 6264
Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: SiCFET (Silicon Carbide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 700V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 49A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 32.5A, 20V,