Τύπος | Περιγραφή |
Κατάσταση μέρους | Obsolete |
---|---|
Τύπος FET | N-Channel |
Τεχνολογία | SiCFET (Silicon Carbide) |
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 1200V |
Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 41A (Tc) |
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 20A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA (Typ) |
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 130nC @ 20V |
Vgs (Μέγ.) | +25V, -10V |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 2560pF @ 1000V |
Δυνατότητα FET | - |
Διασπορά ισχύος (Μέγ.) | 273W (Tc) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Τύπος στερέωσης | Through Hole |
Πακέτο συσκευής προμηθευτή | TO-247 |
Πακέτο / θήκη | TO-247-3 |
Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
---|---|
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |