Δίοδοι - Α&

D4810N28TVFXPSA1

μέρους: 136

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 2800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 4810A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.078V @ 4000A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D950N18TXPSA1

μέρους: 149

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 950A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.12V @ 650A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D650N02TXPSA1

μέρους: 110

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 650A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 950mV @ 450A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GLHUELSE1627XPSA1

μέρους: 165

GLHUELSE1626XPSA1

μέρους: 165

D8320N06TVFXPSA1

μέρους: 169

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 8320A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 795mV @ 4000A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

SIDC105D120H8X1SA1

μέρους: 176

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.41V @ 45A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D820N22TXPSA1

μέρους: 123

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 2200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 820A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 750A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D650N06TXPSA1

μέρους: 127

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 650A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 950mV @ 450A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

SIDC06D120H8X1SA2

μέρους: 128

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 7.5A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.97V @ 7.5A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D1800N48TVFXPSA1

μέρους: 135

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 4800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1800A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.32V @ 1500A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

SIDC10D120H8X1SA2

μέρους: 107

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 15A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.97V @ 7.5A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D1230N16TXPSA1

μέρους: 139

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1230A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.063V @ 800A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D8320N04TVFXPSA1

μέρους: 81

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 8320A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 795mV @ 4000A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D1230N14TXPSA1

μέρους: 108

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1230A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.063V @ 800A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D970N06TXPSA1

μέρους: 116

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 970A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 970mV @ 750A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D950N22TXPSA1

μέρους: 143

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 2200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 950A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.12V @ 650A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDC73D120T6MX1SA2

μέρους: 85

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 150A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.05V @ 150A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDP2302XUMA1

μέρους: 32762

IDC10S120C5X1SA1

μέρους: 6144

IDC20S120C5X1SA1

μέρους: 3497

DZ950N36KHPSA1

μέρους: 141

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 3600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 950A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.78V @ 3000A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

DZ950N44KS02HPSA1

μέρους: 109

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 4400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 950A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

DZ950N44KS01HPSA1

μέρους: 149

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 4400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 950A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDC15S120C5X1SA1

μέρους: 4576

IDM10G120C5XTMA1

μέρους: 15303

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 38A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 10A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

DZ950N44KHPSA1

μέρους: 183

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 4400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 950A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.78V @ 3000A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDM08G120C5XTMA1

μέρους: 19565

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 8A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.95V @ 8A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

IDM05G120C5XTMA1

μέρους: 27245

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 5A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 5A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

IDW32G65C5BXKSA2

μέρους: 6228

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 16A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 16A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

IDD06SG60CXTMA2

μέρους: 218

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 6A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.3V @ 6A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

IDK02G65C5XTMA2

μέρους: 102435

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 2A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

IDH09G65C5XKSA2

μέρους: 15229

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 9A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 9A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

IDK06G65C5XTMA2

μέρους: 43148

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 6A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 6A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

IDH06G65C5XKSA2

μέρους: 22824

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 6A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 6A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

GATELEADWHRD394XXPSA1

μέρους: 172