Δίοδοι - Α&

IRD3CH31DD6

μέρους: 2359

D770N14TXPSA1

μέρους: 2110

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 770A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.08V @ 400A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDV30E65D2XKSA1

μέρους: 46154

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 30A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.2V @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 42ns,

IDV20E65D1XKSA1

μέρους: 47923

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 28A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 42ns,

IDH08G65C6XKSA1

μέρους: 18927

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 20A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.35V @ 8A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

D770N12TXPSA1

μέρους: 2033

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 770A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.08V @ 400A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D1050N12TXPSA1

μέρους: 2267

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1050A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 1000A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDP08E65D1XKSA1

μέρους: 67894

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 80ns,

D770N20TXPSA1

μέρους: 2099

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 2000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 770A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.08V @ 400A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D820N20TXPSA1

μέρους: 2264

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 2000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 820A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 750A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH05G120C5XKSA1

μέρους: 13098

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 5A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 5A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

IDH10G120C5XKSA1

μέρους: 8281

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 10A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 10A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

IDP15E65D2XKSA1

μέρους: 59599

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.3V @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 47ns,

IDW12G65C5XKSA1

μέρους: 12018

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 12A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 12A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

IDH20G120C5XKSA1

μέρους: 4502

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 56A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 20A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

IDV06S60CXKSA1

μέρους: 1555

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 6A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 6A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

HFA15PB60PBF

μέρους: 26323

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 60ns,

IDH06G65C5XKSA1

μέρους: 1624

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 6A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 6A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

IDW30G65C5FKSA1

μέρους: 1668

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 30A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 30A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

IDW10G65C5FKSA1

μέρους: 1640

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 10A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 10A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

IDB12E120ATMA1

μέρους: 1490

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 28A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.15V @ 12A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 150ns,

IDP09E120

μέρους: 1554

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 23A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.15V @ 9A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 140ns,

IDH20G65C5XKSA1

μέρους: 1630

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 20A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 20A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

IDB23E60ATMA1

μέρους: 1521

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 41A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2V @ 23A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 120ns,

IDD03SG60CXTMA1

μέρους: 1478

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.3V @ 3A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

IDB15E60

μέρους: 1514

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 29.2A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2V @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 87ns,

IDH03G65C5XKSA1

μέρους: 1609

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 3A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

IDV05S60CXKSA1

μέρους: 1514

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 5A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 5A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

IDW16G65C5FKSA1

μέρους: 5259

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 16A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 16A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

IDP06E60

μέρους: 1466

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 14.7A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2V @ 6A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 70ns,

IDH08G65C5XKSA1

μέρους: 1682

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 8A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 8A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

IDB45E60ATMA1

μέρους: 1500

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 71A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2V @ 45A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 140ns,

IDW12G65C5FKSA1

μέρους: 1666

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 12A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 12A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

IDH09G65C5XKSA1

μέρους: 1642

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 9A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 9A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

IDH10G65C6XKSA1

μέρους: 15125

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 24A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.35V @ 10A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

IDV30E60C

μέρους: 5572

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 21A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.05V @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 130ns,