Δίοδοι - Α&

Σπίτι
Δίοδοι - Α&

Infineon Technologies

IDH15S120AKSA1

μέρους: 889

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 15A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 15A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

IDD12SG60CXTMA1

Infineon Technologies

IDD12SG60CXTMA1

μέρους: 20456

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 12A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.1V @ 12A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

IDH04SG60CXKSA1

Infineon Technologies

IDH04SG60CXKSA1

μέρους: 817

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 4A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.3V @ 4A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

IDH05S120AKSA1

μέρους: 891

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 5A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 5A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

IDH03SG60CXKSA1

Infineon Technologies

IDH03SG60CXKSA1

μέρους: 855

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.3V @ 3A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

IDH05SG60CXKSA1

Infineon Technologies

IDH05SG60CXKSA1

μέρους: 839

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 5A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.3V @ 5A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

IDH02SG120XKSA1

Infineon Technologies

IDH02SG120XKSA1

μέρους: 831

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 2A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

IDH10SG60CXKSA1

Infineon Technologies

IDH10SG60CXKSA1

μέρους: 816

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 10A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.1V @ 10A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

IDD06SG60CXTMA1

Infineon Technologies

IDD06SG60CXTMA1

μέρους: 813

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 6A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.3V @ 6A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

IDH10S120AKSA1

μέρους: 888

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 10A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 10A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

IDH08S120AKSA1

μέρους: 810

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 7.5A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 7.5A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

IDH12SG60CXKSA1

Infineon Technologies

IDH12SG60CXKSA1

μέρους: 900

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 12A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.1V @ 12A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

IDB06S60C

μέρους: 5151

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 6A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 6A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

IDD08SG60CXTMA1

Infineon Technologies

IDD08SG60CXTMA1

μέρους: 811

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 8A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.1V @ 8A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

IDH06SG60CXKSA1

Infineon Technologies

IDH06SG60CXKSA1

μέρους: 5122

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 6A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.3V @ 6A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

IDV02S60CXKSA1

μέρους: 828

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 2A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

IDH09SG60CXKSA1

Infineon Technologies

IDH09SG60CXKSA1

μέρους: 812

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 9A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.1V @ 9A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

IDB10S60C

μέρους: 875

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 10A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 10A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

IDD04SG60CXTMA1

Infineon Technologies

IDD04SG60CXTMA1

μέρους: 834

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 5.6A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.3V @ 4A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

IDH06S60CAKSA1

μέρους: 502

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 6A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 6A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

SIDC06D60C6

μέρους: 477

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 20A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.95V @ 20A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

SIDC78D170HX1SA1

Infineon Technologies

SIDC78D170HX1SA1

μέρους: 521

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1700V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 150A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 150A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

IDH04S60CAKSA1

μέρους: 556

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 4A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 4A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

SIDC09D60E6X1SA1

Infineon Technologies

SIDC09D60E6X1SA1

μέρους: 552

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 20A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 150ns,

Λίστα επιθυμιών

SIDC30D60E6X1SA1

Infineon Technologies

SIDC30D60E6X1SA1

μέρους: 571

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 75A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 75A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

SIDC73D170E6X1SA2

Infineon Technologies

SIDC73D170E6X1SA2

μέρους: 517

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1700V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.15V @ 100A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

SIDC16D60SIC3

μέρους: 502

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 5A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 5A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

SIDC56D120E6X1SA1

Infineon Technologies

SIDC56D120E6X1SA1

μέρους: 5106

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 75A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 75A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

SIDC23D120F6X1SA1

Infineon Technologies

SIDC23D120F6X1SA1

μέρους: 552

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 25A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.1V @ 25A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

SIDC09D60E6YX1SA1

Infineon Technologies

SIDC09D60E6YX1SA1

μέρους: 523

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 20A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 150ns,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

SIDC08D60C6Y

μέρους: 497

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 30A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.95V @ 30A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

SIDC14D60C6Y

μέρους: 543

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 50A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 50A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

SIDC08D120H6X1SA1

Infineon Technologies

SIDC08D120H6X1SA1

μέρους: 504

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 10A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.6V @ 10A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

SIDC56D170E6X1SA1

Infineon Technologies

SIDC56D170E6X1SA1

μέρους: 577

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1700V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 75A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.15V @ 75A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

SIDC09D60E6 UNSAWN

Infineon Technologies

SIDC09D60E6 UNSAWN

μέρους: 518

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 20A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 150ns,

Λίστα επιθυμιών

SIDC02D60F6X1SA1

Infineon Technologies

SIDC02D60F6X1SA1

μέρους: 525

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.6V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

513

«
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
»