Τρανζίστο& | Διακριτά π& | 1

HTNFET-D

μέρους: 199

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 55V, Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Honeywell Aerospace

HTNFET-T

μέρους: 199

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 55V, Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Honeywell Aerospace

HTNFET-TC

μέρους: 211

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 55V, Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Honeywell Aerospace

HTNFET-DC

μέρους: 199

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 55V, Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών