| Τύπος | Περιγραφή |
| Κατάσταση μέρους | Active |
|---|---|
| Τύπος FET | N-Channel |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 55V |
| Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | - |
| Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100µA |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 4.3nC @ 5V |
| Vgs (Μέγ.) | 10V |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 28V |
| Δυνατότητα FET | - |
| Διασπορά ισχύος (Μέγ.) | 50W (Tj) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Τύπος στερέωσης | Through Hole |
| Πακέτο συσκευής προμηθευτή | 4-Power Tab |
| Πακέτο / θήκη | 4-SIP |
| Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
|---|---|
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
| Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
| Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |
