Δίοδοι - Α&

GP2D006A065A

μέρους: 25677

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 6A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.65V @ 6A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

GP2D015A120B

μέρους: 7457

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 15A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 15A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

GP2D020A120B

μέρους: 5743

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 20A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 20A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

GDP06S060D

μέρους: 2250

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 6A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 6A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

GP2D030A120B

μέρους: 4983

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 30A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 30A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

GP2D050A060B

μέρους: 3568

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 50A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.65V @ 50A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

GDP12S060D

μέρους: 16299

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 12A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 12A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

GP2D020A170B

μέρους: 2736

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1700V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 20A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.75V @ 20A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

GDP60P120B

μέρους: 5284

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 60A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 60A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

GDP36Z060B

μέρους: 2188

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 36A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 36A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

GDP24P060B

μέρους: 2169

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 24A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 24A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

GP2D010A120B

μέρους: 10170

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 10A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

GP2D010A120C

μέρους: 7417

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 10A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 10A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

GDP30P120B

μέρους: 2235

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 81A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 30A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

GDP15S120A

μέρους: 2215

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 15A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 15A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

GP2D006A065C

μέρους: 25640

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 6A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.65V @ 6A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

GDP50P120B

μέρους: 1330

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 50A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 50A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

GP3D050A120B

μέρους: 487

GP3D030A060B

μέρους: 9535

Τύπος διόδων: Schottky, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

GP3D060A120B

μέρους: 9497

GP3D050A060B

μέρους: 9474