Δίοδοι - Α& | Διακριτά π& | 2

GP2D003A060C

μέρους: 124592

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.65V @ 3A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GP2D008A120A

μέρους: 12482

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 24A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 8A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GP2D005A065A

μέρους: 43140

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 15A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.65V @ 5A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GP2D012A065A

μέρους: 12864

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 12A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.65V @ 12A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GP2D006A060A

μέρους: 18126

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 6A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.65V @ 6A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GP2D020A060B

μέρους: 10017

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 58A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.65V @ 20A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GP2D005A060A

μέρους: 32164

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 15A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.65V @ 5A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GP2D012A060D

μέρους: 9856

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 12A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.65V @ 12A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GP2D006A060C

μέρους: 22992

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 6A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.65V @ 6A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GP2D008A120C

μέρους: 12548

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 24A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 8A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GP2D015A120A

μέρους: 6601

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 50A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 15A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GP2D012A060A

μέρους: 9802

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 12A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.65V @ 12A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GP2D003A060A

μέρους: 32449

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.65V @ 3A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GP2D012A065C

μέρους: 88

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 29A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 12A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GSXD300A170S2D5

μέρους: 1548

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1700V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 300A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 300A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 540ns,

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GP2D010A060A

μέρους: 17959

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 30A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.65V @ 10A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GP2D020A120A

μέρους: 2898

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 20A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 20A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GP2D003A065C

μέρους: 46386

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.65V @ 3A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GP2D005A065C

μέρους: 63819

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 15A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.65V @ 5A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GP2D036A060B

μέρους: 7919

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 82A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 36A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GP2D010A065C

μέρους: 32469

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 30A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.65V @ 10A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GP2D003A065A

μέρους: 46379

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.65V @ 3A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GP2D030A060B

μέρους: 5912

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 30A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.65V @ 30A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GDP60Z120E

μέρους: 2254

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 60A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 60A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GDP08S120A

μέρους: 2165

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 8A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GP2D010A120A

μέρους: 7354

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 10A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GDP15S120B

μέρους: 5232

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 15A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 15A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GP2D005A120A

μέρους: 20996

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 5A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 5A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GP2D010A170B

μέρους: 3924

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1700V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.75V @ 10A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GDP06S060A

μέρους: 2241

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 6A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 6A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GP2D005A170B

μέρους: 6213

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1700V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 5A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.75V @ 5A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GP2D005A120C

μέρους: 20934

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 5A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GP2D050A120B

μέρους: 2553

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 50A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 50A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GDP12S060A

μέρους: 5283

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 12A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 12A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GDP03S060C

μέρους: 2176

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 3A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Global Power Technologies Group

GDP30S120B

μέρους: 2237

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 30A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 30A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών