Δίοδοι - Α&

Σπίτι
Δίοδοι - Α&

GeneSiC Semiconductor

MUR10040CT

μέρους: 1546

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 50A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MSRTA20080(A)D

μέρους: 1282

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Series Connection, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 200A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR30020CT

μέρους: 1400

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 300A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 650mV @ 150A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRT200200

μέρους: 1629

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 920mV @ 100A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MUR20005CTR

μέρους: 1240

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 100A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR600200CT

μέρους: 992

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 300A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 920mV @ 300A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR20035CT

μέρους: 1575

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 35V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 650mV @ 100A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRT60045R

μέρους: 962

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 600A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 750mV @ 300A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRT20045

μέρους: 1428

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 750mV @ 100A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MSRT100160(A)D

μέρους: 1940

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Series Connection, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 100A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRT12020R

μέρους: 1833

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 120A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 750mV @ 60A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR2X160A100

μέρους: 2757

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 160A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 840mV @ 160A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

FST120200

μέρους: 1639

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 60A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 920mV @ 60A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

MSRTA300120(A)D

GeneSiC Semiconductor

MSRTA300120(A)D

μέρους: 1322

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Series Connection, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 300A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 300A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MUR10005CT

μέρους: 1579

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 50A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MUR20020CT

μέρους: 1243

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 100A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MSRT200160(A)D

μέρους: 1391

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Series Connection, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 200A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A06

μέρους: 3294

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 100A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR200100CT

μέρους: 1490

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 840mV @ 100A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR12020CTR

μέρους: 1553

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 120A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 650mV @ 120A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR30030CT

μέρους: 1489

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 300A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 650mV @ 150A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A10

μέρους: 3311

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.35V @ 100A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRT12045

μέρους: 1864

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 120A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 750mV @ 60A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

FST16045

μέρους: 1496

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 160A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 750mV @ 160A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRT500150R

μέρους: 1121

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 250A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 880mV @ 250A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR120200CTR

μέρους: 1494

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 60A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 920mV @ 60A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR12020CT

μέρους: 1559

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 120A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 650mV @ 120A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MSRTA30080(A)D

μέρους: 1203

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Series Connection, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 300A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 300A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR20080CT

μέρους: 1491

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 840mV @ 100A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR60080CTR

μέρους: 823

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 300A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 880mV @ 300A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A150

μέρους: 3067

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 880mV @ 100A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MURT20060R

μέρους: 1259

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 100A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MSRT150140(A)D

μέρους: 1854

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Series Connection, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 150A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 150A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR120100CTR

μέρους: 1583

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 120A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 840mV @ 60A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MSRT15080(A)D

μέρους: 1929

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Series Connection, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 150A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 150A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MURTA30060

μέρους: 946

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 150A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 150A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

894

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»