Δίοδοι - Α&

Σπίτι
Δίοδοι - Α&

GeneSiC Semiconductor

MBRT40045R

μέρους: 1156

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 400A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 750mV @ 200A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A200

μέρους: 3030

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 920mV @ 100A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR200150CT

μέρους: 1552

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 880mV @ 100A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MURT20020

μέρους: 1213

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 100A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR600100CT

μέρους: 972

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 300A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 880mV @ 300A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MSRT200140(A)D

μέρους: 1324

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Series Connection, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 200A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR500100CTR

μέρους: 1192

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Schottky, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 500A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 880mV @ 250A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A120

μέρους: 3096

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 120V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 880mV @ 100A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRT12035

μέρους: 1844

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 35V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 120A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 750mV @ 60A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MUR30060CT

μέρους: 1342

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 300A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 100A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR12030CT

μέρους: 1491

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 120A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 650mV @ 60A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

FST160150

μέρους: 1636

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 80A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 880mV @ 80A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

FST10020

μέρους: 1563

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 650mV @ 100A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR300150CTR

μέρους: 1446

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 150A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 880mV @ 150A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MUR40060CTR

μέρους: 1286

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 400A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 125A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A12

μέρους: 3213

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.35V @ 100A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR2X160A120

μέρους: 2552

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 120V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 160A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 880mV @ 160A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MURT20040

μέρους: 1224

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.35V @ 100A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MURT20005R

μέρους: 1264

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 100A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR60080CT

μέρους: 795

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 300A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 880mV @ 300A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR30045CTR

μέρους: 1429

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 300A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 650mV @ 150A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR50020CTR

μέρους: 1148

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 500A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 750mV @ 250A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRT50040

μέρους: 1070

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 500A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 750mV @ 250A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

MSRTA300100(A)D

GeneSiC Semiconductor

MSRTA300100(A)D

μέρους: 1265

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Series Connection, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 300A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 300A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRT400150R

μέρους: 1842

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 880mV @ 200A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR12030CTR

μέρους: 1542

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 120A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 650mV @ 60A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRT30030R

μέρους: 1557

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 300A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 750mV @ 150A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRT50060

μέρους: 1058

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 500A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 800mV @ 250A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR600100CTR

μέρους: 945

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 300A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 880mV @ 300A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MUR2X120A10

μέρους: 2503

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 120A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.35V @ 120A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

FST12045

μέρους: 1584

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 120A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 650mV @ 120A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MURTA50040

μέρους: 1062

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 500A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 250A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MURT10005R

μέρους: 1254

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 50A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRT60020

μέρους: 938

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 600A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 750mV @ 300A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRT50030

μέρους: 1087

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 500A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 750mV @ 250A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRT40020R

μέρους: 1393

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 400A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 750mV @ 200A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

894

«
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
»