Τρανζίστο&

Rohm Semiconductor

2SD1866TV2

μέρους: 5562

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Darlington, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 60V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SD1861TV2

μέρους: 5580

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Darlington, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 40V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.2mA, 600mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 500mA, 3V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SD1862TV2Q

μέρους: 5606

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 32V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SD1858TV2R

μέρους: 5602

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 32V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SD1858TV2Q

μέρους: 5550

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 32V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SD1858TV2P

μέρους: 5559

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 32V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SD1857TV2R

μέρους: 5617

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SD1857TV2Q

μέρους: 5608

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SD1857ATV2Q

μέρους: 6642

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1.5A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 160V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SD1857TV2P

μέρους: 5575

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SD1763AE

μέρους: 5587

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1.5A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 160V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SD1857ATV2P

μέρους: 5586

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1.5A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 160V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SC5732TLQ

μέρους: 5540

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 5A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 30V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SC5060TV2M

μέρους: 5604

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Darlington, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 90V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 500mA, 3V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SC5731T100Q

μέρους: 5569

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 30V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SC4015TV2N

μέρους: 5531

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 300V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SC2412KT246R

μέρους: 5535

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SC1741STPR

μέρους: 5590

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 32V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SB1443TV2Q

μέρους: 5585

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SC1740STPS

μέρους: 5603

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 1mA, 6V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SB1308T100P

μέρους: 5608

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 3A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 20V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 150mA, 1.5A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SB1243TV2P

μέρους: 5545

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 3A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SB1240TV2R

μέρους: 5534

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 32V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SB1240TV2Q

μέρους: 5605

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 32V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SB1239TV2

μέρους: 5516

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Darlington, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 40V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.2mA, 600mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 500mA, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SB1240TV2P

μέρους: 5577

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 32V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SB1237TV2R

μέρους: 5739

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 32V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SB1238TV2P

μέρους: 5522

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 700mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 80V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SB1237TV2Q

μέρους: 5565

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 32V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SB1237TV2P

μέρους: 5592

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 32V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SB1236TV2R

μέρους: 6586

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1.5A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SB1236ATV2Q

μέρους: 5572

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1.5A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 160V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SB1236TV2Q

μέρους: 5601

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1.5A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SB1186AE

μέρους: 5533

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1.5A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 160V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SB1236ATV2P

μέρους: 5551

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1.5A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 160V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

2SA854STPR

μέρους: 5514

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 32V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V,

Στη λίστα επιθυμιών

3600

«
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
»