Τρανζίστο& | Διακριτά π& | 42

SMUN5213DW1T1G

μέρους: 151695

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

NSBC144WPDP6T5G

μέρους: 156563

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

NSBC144EDP6T5G

μέρους: 168274

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

NSVMUN5113DW1T3G

μέρους: 116755

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 1V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

MUN5312DW1T2G

μέρους: 134631

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

NSBC114YDP6T5G

μέρους: 103833

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

MUN5214DW1T1G

μέρους: 184027

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

NSVBC144EPDXV6T1G

μέρους: 125769

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

NSBC123JPDXV6T5G

μέρους: 126783

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

Panasonic Electronic Components

DMA564010R

μέρους: 128549

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

Panasonic Electronic Components

DMG963H10R

μέρους: 152297

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

Panasonic Electronic Components

DMA5610F0R

μέρους: 140860

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

Panasonic Electronic Components

DMA961010R

μέρους: 185363

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

Panasonic Electronic Components

DMG963HD0R

μέρους: 129355

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

Panasonic Electronic Components

DMC564060R

μέρους: 112083

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

Panasonic Electronic Components

DMC266060R

μέρους: 134332

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

Panasonic Electronic Components

DMG963HC0R

μέρους: 137430

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, 510 Ohms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, 5.1 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

Nexperia USA Inc.

PBLS2023D,115

μέρους: 198052

Τύπος τρανζίστορ: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, 1.8A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, 20V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 200 @ 1A, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

Nexperia USA Inc.

PQMH9Z

μέρους: 157995

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Nexperia USA Inc.

PUMD20,115

μέρους: 174220

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 2.2 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Nexperia USA Inc.

PUMF11,115

μέρους: 127576

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, 40V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 120 @ 1mA, 6V,

Στη λίστα επιθυμιών

Nexperia USA Inc.

PEMH11,315

μέρους: 178992

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Nexperia USA Inc.

PEMH20,115

μέρους: 131376

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 2.2 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Nexperia USA Inc.

PUMB30,115

μέρους: 183241

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Nexperia USA Inc.

PBLS6024D,115

μέρους: 165658

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, 1.5A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, 65V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 140 @ 1A, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

Nexperia USA Inc.

PUMD15,135

μέρους: 188767

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2901FE(TE85L,F)

μέρους: 169

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1609(TE85L,F)

μέρους: 147

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2507(TE85L,F)

μέρους: 152

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

EMD5T2R

μέρους: 109340

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

EMB11T2R

μέρους: 118490

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

FMG2AT148

μέρους: 107915

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

EMH75T2R

μέρους: 186217

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

UMD22NTR

μέρους: 132867

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

UMA5NTR

μέρους: 183533

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

UMB11NTN

μέρους: 138120

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών