Τρανζίστο& | Διακριτά π& | 42

MUN5216DW1T1

μέρους: 1438

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

NSBC143ZPDXV6T1G

μέρους: 154023

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

NSBC123JDXV6T5

μέρους: 1465

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

NSVB124XPDXV6T1G

μέρους: 133175

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

NSBA113EDXV6T1G

μέρους: 168681

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 1 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 1 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

MUN5113DW1T1G

μέρους: 163385

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

EMC5DXV5T1

μέρους: 3198

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

SMUN5315DW1T1G

μέρους: 151022

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

MUN5111DW1T1G

μέρους: 182502

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

NSBC114YDXV6T5G

μέρους: 152242

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2906,LF

μέρους: 138883

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2908(T5L,F,T)

μέρους: 1489

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2901(T5L,F,T)

μέρους: 1507

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1970FE(TE85L,F)

μέρους: 1480

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2603(TE85L,F)

μέρους: 181191

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4903(T5L,F,T)

μέρους: 1463

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2968FE(TE85L,F)

μέρους: 1523

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

DDA144EK-7-F

μέρους: 124106

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

DDA124EK-7-F

μέρους: 116873

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

DDA114YU-7

μέρους: 1386

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

IMB4AT110

μέρους: 116363

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

UMF8NTR

μέρους: 111347

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, 15V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

FMG5AT148

μέρους: 191530

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

UMD6NTR

μέρους: 125967

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Panasonic Electronic Components

XP0621000L

μέρους: 1473

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

Panasonic Electronic Components

DMG264020R

μέρους: 139566

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

Panasonic Electronic Components

XN0111M00L

μέρους: 1478

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

Panasonic Electronic Components

XP0421M00L

μέρους: 1422

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

Panasonic Electronic Components

NP0G3A000A

μέρους: 1454

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 80mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

Nexperia USA Inc.

PBLS6004D,115

μέρους: 100158

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, 700mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, 60V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Nexperia USA Inc.

PIMN31,115

μέρους: 149516

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 1 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Nexperia USA Inc.

PEMH9,115

μέρους: 174446

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Nexperia USA Inc.

PUMD17,115

μέρους: 141367

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Nexperia USA Inc.

PUMB2,115

μέρους: 142176

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

PBLS4001V,115

μέρους: 1384

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, 40V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 2.2 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

PBLS4002V,115

μέρους: 1498

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, 40V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών