Τρανζίστο&

2SK34260TL

μέρους: 100643

Τύπος FET: N-Channel, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 107µA @ 2V, Τρέχουσα αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) - Μέγ: 2mA,

2SK880-Y(TE85L,F)

μέρους: 110749

Τύπος FET: N-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 50V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 1.5V @ 100nA,

2N4117A

μέρους: 18390

Τύπος FET: N-Channel,

5185_2N4391

μέρους: 3455

8885_2N5115

μέρους: 3434

BF246B

μέρους: 3444

Τύπος FET: N-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 25V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 60mA @ 15V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 600mV @ 10nA,

BSR57

μέρους: 142649

Τύπος FET: N-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 40V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 2V @ 0.5nA,

BF247A_J35Z

μέρους: 3374

Τύπος FET: N-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 25V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 15V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 600mV @ 100nA,

BF246A_J35Z

μέρους: 3399

Τύπος FET: N-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 30V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 15V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 600mV @ 100nA,

BF246B_J35Z

μέρους: 3444

Τύπος FET: N-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 25V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 60mA @ 15V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 600mV @ 10nA,

BSR58LT1G

μέρους: 3366

Τύπος FET: N-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 40V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 800mV @ 1µA,

BFR31LT1G

μέρους: 3431

Τύπος FET: N-Channel, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 25V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 10V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 2.5V @ 0.5nA,

BFR31LT1

μέρους: 3382

Τύπος FET: N-Channel, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 25V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 10V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 2.5V @ 0.5nA,

BFR30LT1

μέρους: 3407

Τύπος FET: N-Channel, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 25V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 10V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 5V @ 0.5nA,

BFR30LT1G

μέρους: 3448

Τύπος FET: N-Channel, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 25V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 10V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 5V @ 0.5nA,

BF247A

μέρους: 224

Τύπος FET: N-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 25V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 15V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 600mV @ 100nA,

BF246A

μέρους: 3378

Τύπος FET: N-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 30V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 15V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 600mV @ 100nA,

BSR56

μέρους: 141206

Τύπος FET: N-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 40V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 15V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 4V @ 0.5nA,

BSR58

μέρους: 100259

Τύπος FET: N-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 40V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 800mV @ 0.5nA,

J110

μέρους: 3443

Τύπος FET: N-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 25V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 15V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 500mV @ 1µA,

TF256-3-TL-H

μέρους: 3442

Τύπος FET: N-Channel, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 2V, Τρέχουσα αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) - Μέγ: 1mA, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 100mV @ 1µA,

J176

μέρους: 3350

Τύπος FET: P-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 30V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 1V @ 10nA,

P1086

μέρους: 3437

Τύπος FET: P-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 30V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 20V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 10V @ 1µA,

TIS75_D75Z

μέρους: 3417

Τύπος FET: N-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 30V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 800mV @ 4nA,

BFR31,235

μέρους: 109082

Τύπος FET: N-Channel, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 25V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 10V, Τρέχουσα αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) - Μέγ: 10mA, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 2.5V @ 0.5nA,

BFR31,215

μέρους: 126893

Τύπος FET: N-Channel, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 25V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 10V, Τρέχουσα αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) - Μέγ: 10mA, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 2.5V @ 0.5nA,

BSR57,215

μέρους: 126966

Τύπος FET: N-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 40V, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 5V @ 0.5nA,

BSR58,215

μέρους: 3330

Τύπος FET: N-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 40V, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 800mV @ 0.5nA,

BSR56,215

μέρους: 3328

Τύπος FET: N-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 40V, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 15V, Τρέχουσα αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) - Μέγ: 20mA, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 4V @ 0.5nA,

BFR30,235

μέρους: 193684

Τύπος FET: N-Channel, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 25V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 10V, Τρέχουσα αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) - Μέγ: 10mA, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 5V @ 0.5nA,

BFR30,215

μέρους: 169728

Τύπος FET: N-Channel, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 25V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 10V, Τρέχουσα αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) - Μέγ: 10mA, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 5V @ 0.5nA,

BFT46,215

μέρους: 107508

Τύπος FET: N-Channel, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 25V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 10V, Τρέχουσα αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) - Μέγ: 10mA, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 1.2V @ 0.5nA,

PMBFJ111,215

μέρους: 3326

Τύπος FET: N-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 40V, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 10V @ 1µA,

PMBFJ176,215

μέρους: 3444

Τύπος FET: P-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 30V, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 1V @ 10nA,

BF246C

μέρους: 98657

MV2N4393UB

μέρους: 3415