Τρανζίστο& | Διακριτά π& | 39

MAT01GH

μέρους: 3534

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 25mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 45V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 400nA,

Στη λίστα επιθυμιών

Analog Devices Inc.

SSM2212CPZ-RL

μέρους: 17521

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 20mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 40V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 15V,

Στη λίστα επιθυμιών

Analog Devices Inc.

MAT14ARZ-RL

μέρους: 11095

Τύπος τρανζίστορ: 4 NPN (Quad) Matched Pairs, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 30mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 40V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 60mV @ 100µA, 1mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 3nA,

Στη λίστα επιθυμιών

Analog Devices Inc.

MAT03EHZ

μέρους: 4479

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 20mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 36V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

UMY1NTR

μέρους: 105089

Τύπος τρανζίστορ: NPN, PNP (Emitter Coupled), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

UMB2NFHATN

μέρους: 120

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

UMB3NFHATN

μέρους: 123

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Nexperia USA Inc.

PMBT3946VPN,115

μέρους: 148127

Τύπος τρανζίστορ: NPN, PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 200mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 40V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Στη λίστα επιθυμιών

Nexperia USA Inc.

PMP4501V,115

μέρους: 117231

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 45V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Nexperia USA Inc.

PEMZ1,115

μέρους: 155883

Τύπος τρανζίστορ: NPN, PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 40V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Στη λίστα επιθυμιών

Nexperia USA Inc.

PMBT3904VS,115

μέρους: 198170

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 200mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 40V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Στη λίστα επιθυμιών

Nexperia USA Inc.

PEMX1,315

μέρους: 141674

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 40V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Στη λίστα επιθυμιών

Nexperia USA Inc.

PMP4501QASZ

μέρους: 97

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 45V,

Στη λίστα επιθυμιών

Nexperia USA Inc.

PBSS5130PAP,115

μέρους: 169332

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 30V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

SBC846BPDW1T2G

μέρους: 175944

Τύπος τρανζίστορ: NPN, PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 65V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

NST3946DP6T5G

μέρους: 152851

Τύπος τρανζίστορ: NPN, PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 200mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 40V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

CPH5505-TL-E

μέρους: 166597

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 3A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 30V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 30mA, 1.5A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

NSVBC848CDW1T1G

μέρους: 125941

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 30V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

NSV40300MDR2G

μέρους: 148007

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 3A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 40V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

EMT1DXV6T1

μέρους: 4480

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 60V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

NST847BDP6T5G

μέρους: 165488

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 45V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

NST65010MW6T1G

μέρους: 196459

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 65V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

NST847BPDP6T5G

μέρους: 170917

Τύπος τρανζίστορ: NPN, PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 45V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 700mV @ 5mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

SBC847BPDW1T1G

μέρους: 147868

Τύπος τρανζίστορ: NPN, PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 45V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

FMB5551

μέρους: 161037

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 600mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 160V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZXTDAM832TA

μέρους: 4629

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 4.5A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 15V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 4.5A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 25nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 3A, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZDT705TC

μέρους: 4410

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP Darlington (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2mA, 2A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3000 @ 1A, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZXTP56020FDBQ-7

μέρους: 9974

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 20V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

SG2003J-JAN

μέρους: 4491

Τύπος τρανζίστορ: 7 NPN Darlington, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

SG2803J-883B

μέρους: 4488

Τύπος τρανζίστορ: 8 NPN Darlington, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

Sanken

SMA6010

μέρους: 14708

Τύπος τρανζίστορ: 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 4A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 60V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 4V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-Y(L,F,T)

μέρους: 4365

Τύπος τρανζίστορ: NPN, PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE-GR,LF

μέρους: 167758

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Στη λίστα επιθυμιών

Central Semiconductor Corp

MPQ6700

μέρους: 15034

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN, 2 PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 200mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 40V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 1V,

Στη λίστα επιθυμιών

Renesas Electronics America Inc.

CA3083

μέρους: 4402

Τύπος τρανζίστορ: 5 NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 15V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 5mA, 50mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 3V,

Στη λίστα επιθυμιών

STMicroelectronics

ULN2804A

μέρους: 67807

Τύπος τρανζίστορ: 8 NPN Darlington, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών