Τρανζίστο& | Διακριτά π& | 88

BCR 119F E6327

μέρους: 1906

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR116WE6327BTSA1

μέρους: 1867

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR 116T E6327

μέρους: 1851

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR 116L3 E6327

μέρους: 1886

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR 116F E6327

μέρους: 1882

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR 114T E6327

μέρους: 1871

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR 114F E6327

μέρους: 3258

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR 114L3 E6327

μέρους: 1839

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR 112T E6327

μέρους: 1851

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR112WE6327BTSA1

μέρους: 1895

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR 112F E6327

μέρους: 5360

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR 112L3 E6327

μέρους: 1840

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR 108T E6327

μέρους: 1842

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR 108L3 E6327

μέρους: 3212

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR 108F E6327

μέρους: 1842

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR 108 B6327

μέρους: 1832

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR 103T E6327

μέρους: 1845

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 2.2 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR 103L3 E6327

μέρους: 3195

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 2.2 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR 103F E6327

μέρους: 1824

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 2.2 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR 101L3 E6327

μέρους: 3195

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 100 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 100 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR512E6327HTSA1

μέρους: 183749

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR555E6327HTSA1

μέρους: 169612

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR142E6327HTSA1

μέρους: 111124

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR198E6327HTSA1

μέρους: 196205

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR183E6327HTSA1

μέρους: 112554

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR533E6327HTSA1

μέρους: 148436

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR148E6327HTSA1

μέρους: 179063

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR133E6327HTSA1

μέρους: 117390

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR505E6327HTSA1

μέρους: 155798

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR108E6327HTSA1

μέρους: 107313

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR503E6327HTSA1

μέρους: 187004

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 2.2 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR135E6327HTSA1

μέρους: 185332

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR523E6327HTSA1

μέρους: 192928

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 1 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR116E6327HTSA1

μέρους: 185599

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR553E6327HTSA1

μέρους: 184944

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 2.2 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR555E6433HTMA1

μέρους: 167043

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών