Τρανζίστο& | Διακριτά π& | 88

PDTC124TT,215

μέρους: 166184

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

DTA124XCAHZGT116

μέρους: 9950

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

DTC114WUAT106

μέρους: 194265

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

DTC114WKAT146

μέρους: 173647

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

DTC143TCAT116

μέρους: 103110

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

DTC144TKAT146

μέρους: 106643

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

DTC044TUBTL

μέρους: 137517

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 60mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

DTA044TEBTL

μέρους: 133264

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 60mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

DDTC123TKA-7-F

μέρους: 1925

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

DDTA114WKA-7-F

μέρους: 1927

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

DDTC123YKA-7-F

μέρους: 1927

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

DDTC122TE-7-F

μέρους: 165876

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 220 Ohms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

DDTC124EKA-7-F

μέρους: 1965

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

MMUN2238LT1G

μέρους: 106308

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

NSVMMUN2112LT1G

μέρους: 163650

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

MUN2211T3

μέρους: 1947

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

FJV4101RMTF

μέρους: 1954

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

MUN2211JT1G

μέρους: 110536

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

FJV4104RMTF

μέρους: 107935

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Panasonic Electronic Components

UNR9215G0L

μέρους: 1892

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

Panasonic Electronic Components

UNR511TG0L

μέρους: 166688

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

Panasonic Electronic Components

UNR911EG0L

μέρους: 1910

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

Panasonic Electronic Components

UNR91AEG0L

μέρους: 1964

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 80mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

Panasonic Electronic Components

UNR91ANG0L

μέρους: 178045

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 80mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

Panasonic Electronic Components

UNR421K00A

μέρους: 186442

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

Panasonic Electronic Components

UNR911FG0L

μέρους: 2037

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

Panasonic Electronic Components

UNR9113G0L

μέρους: 155175

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

Panasonic Electronic Components

DRC5123J0L

μέρους: 164209

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

Panasonic Electronic Components

DRA2123Y0L

μέρους: 136190

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

PDTC143ZK,115

μέρους: 1950

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

PBRP113ES,126

μέρους: 1953

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 800mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 1 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 1 kOhms,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

PDTD123EK,115

μέρους: 1995

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 2.2 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

PDTA144TK,115

μέρους: 1981

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109(T5L,F,T)

μέρους: 3219

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1303(TE85L,F)

μέρους: 1973

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106CT(TPL3)

μέρους: 1960

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 20V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών