Δίοδοι - Α& | Διακριτά π& | 100

RB088NS100FHTL

μέρους: 75

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 870mV @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

UMR12NTN

μέρους: 104990

Διαμόρφωση διόδων: 2 Pair Series Connection, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS15200CT-Y MNG

μέρους: 112

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 950mV @ 7.5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF3050CT C0G

μέρους: 86

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 900mV @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS20200CT-Y MNG

μέρους: 173

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 990mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

HER1005G C0G

μέρους: 90

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

SRS10100 MNG

μέρους: 82

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 900mV @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1535CT C0G

μέρους: 114

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 35V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 840mV @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1090CTHMNG

μέρους: 85

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 90V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 950mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1090 C0G

μέρους: 168

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 90V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 900mV @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2590CTHC0G

μέρους: 126

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 90V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 25A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 920mV @ 25A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR25100CT C0G

μέρους: 113

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 25A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 920mV @ 25A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF10200CTHC0G

μέρους: 163

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 980mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20200PTHC0G

μέρους: 83

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.02V @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2060CT C0G

μέρους: 125

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 950mV @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS10H150CT MNG

μέρους: 93

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 970mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

HER1008G C0G

μέρους: 152

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

SR3040PT C0G

μέρους: 123

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

FST30100

μέρους: 15979

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 850mV @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-47CTQ020-1-M3

μέρους: 67559

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 450mV @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2080CTRHM3

μέρους: 72578

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 800mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ100-1-M3

μέρους: 86952

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 720mV @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ030STRRHM3

μέρους: 52467

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 490mV @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ035HN3

μέρους: 49342

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 35V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 570mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB20100CTLHM3

μέρους: 72585

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 800mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40CPQ060-N3

μέρους: 15163

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 680mV @ 40A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

MBRF10200CT-JT

μέρους: 113089

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 910mV @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Comchip Technology

MBR2050CT-G

μέρους: 114599

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 950mV @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Comchip Technology

CDBT-40S-G

μέρους: 190055

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Series Connection, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 40mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Στη λίστα επιθυμιών

Comchip Technology

CDBD2040-G

μέρους: 111181

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

NRVHP8H200MFDWFT1G

μέρους: 78

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 4A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 910mV @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

MBRB20H100CTT4G

μέρους: 99761

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 770mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S02JE(TE85L,F)

μέρους: 151

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 600mV @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S01FUTE85LF

μέρους: 111

Διαμόρφωση διόδων: 3 Independent, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 10V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 500mV @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02F(TE85L,F)

μέρους: 99

Διαμόρφωση διόδων: 2 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Στη λίστα επιθυμιών

Panasonic Electronic Components

DB3X315E0L

μέρους: 108903

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 30mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Στη λίστα επιθυμιών