Δίοδοι - Α& | Διακριτά π& | 100

NRVHP620MFDT1G

μέρους: 110114

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

NTSV20H120ECTG

μέρους: 186022

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 120V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2050CT C0G

μέρους: 153

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 950mV @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20L120CTHC0G

μέρους: 95

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 120V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 900mV @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

UG1006GHC0G

μέρους: 130

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

STMicroelectronics

STPS1545CG-TR

μέρους: 105409

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 7.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 570mV @ 7.5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RB706D-40T146

μέρους: 102011

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Series Connection, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 370mV @ 1mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Στη λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRT12020R

μέρους: 1833

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 120A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 750mV @ 60A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR2X160A100

μέρους: 2757

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 160A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 840mV @ 160A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

FST120200

μέρους: 1639

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 60A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 920mV @ 60A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MSRTA300120(A)D

μέρους: 1322

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Series Connection, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 300A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 300A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MUR10005CT

μέρους: 1579

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 50A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MUR20020CT

μέρους: 1243

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 100A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MSRT200160(A)D

μέρους: 1391

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Series Connection, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 200A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A06

μέρους: 3294

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 100A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR200100CT

μέρους: 1490

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 840mV @ 100A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR12020CTR

μέρους: 1553

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 120A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 650mV @ 120A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR30030CT

μέρους: 1489

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 300A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 650mV @ 150A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A10

μέρους: 3311

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.35V @ 100A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRT12045

μέρους: 1864

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 120A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 750mV @ 60A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

FST16045

μέρους: 1496

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 160A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 750mV @ 160A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT1045CBP-M3/4W

μέρους: 147491

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 580mV @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT2060G-E3/4W

μέρους: 156407

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 900mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

V60D45C-M3/I

μέρους: 32760

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 640mV @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT2060C-E3/4W

μέρους: 141541

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 650mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT4060C-E3/4W

μέρους: 69524

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 620mV @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT2080C-M3/4W

μέρους: 118184

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 810mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

VF40150C-M3/4W

μέρους: 91361

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.43V @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT6045C-M3/4W

μέρους: 54606

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 640mV @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

V30M120C-M3/4W

μέρους: 99774

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 120V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 980mV @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40PW60CHM3/I

μέρους: 108899

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 680mV @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

V30D45C-M3/I

μέρους: 41859

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 570mV @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

SMC Diode Solutions

SBR1545CT

μέρους: 121214

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 720mV @ 7.5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

SMC Diode Solutions

SDURF3040CTR

μέρους: 169247

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.45V @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

SBR40100CT

μέρους: 26567

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Super Barrier, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 820mV @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Power Integrations

LQA40T150C

μέρους: 36324

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών