Menu
ΕλλάδαΕλλάδα
RFQ / παραγγελία
0RFQ / παραγγελία

Δίοδοι - Α&

1PS59SB15,115
NXP USA Inc.

1PS59SB15,115

μέρους: 4404

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 800mV @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Στη λίστα επιθυμιών
1PS59SB14,115
NXP USA Inc.

1PS59SB14,115

μέρους: 4331

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Series Connection, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 800mV @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Στη λίστα επιθυμιών
1PS226,115
NXP USA Inc.

1PS226,115

μέρους: 4446

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Series Connection, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 215mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 100mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
1PS184,135
NXP USA Inc.

1PS184,135

μέρους: 4337

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 215mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 100mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
1PS184,115
NXP USA Inc.

1PS184,115

μέρους: 4473

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 215mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 100mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
1PS70SB14/ZLX
Nexperia USA Inc.

1PS70SB14/ZLX

μέρους: 4330

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Series Connection, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 800mV @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Στη λίστα επιθυμιών
1PS70SB14/ZLF
Nexperia USA Inc.

1PS70SB14/ZLF

μέρους: 4334

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Series Connection, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 800mV @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Στη λίστα επιθυμιών
1SS184S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS184S,LF(D

μέρους: 4245

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Στη λίστα επιθυμιών
1SS412(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS412(TE85L,F)

μέρους: 4112

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Series Connection, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Στη λίστα επιθυμιών
1SS360(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS360(T5L,F,T)

μέρους: 4169

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Στη λίστα επιθυμιών
1SS302TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS302TE85LF

μέρους: 162072

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Series Connection, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Στη λίστα επιθυμιών
1SS301SU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS301SU,LF

μέρους: 4015

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Στη λίστα επιθυμιών
1N6659
Microsemi Corporation

1N6659

μέρους: 4137

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
16CTU04-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTU04-1

μέρους: 3721

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
16CTU04
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTU04

μέρους: 3649

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
16CTQ060
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ060

μέρους: 3669

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 720mV @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
16CTU04S
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTU04S

μέρους: 3644

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
110CNQ045ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

110CNQ045ASL

μέρους: 3638

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 55A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 540mV @ 55A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
110CNQ045ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

110CNQ045ASM

μέρους: 3688

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 55A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 540mV @ 55A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
113CNQ100ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

113CNQ100ASM

μέρους: 3674

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 55A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 810mV @ 55A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
113CNQ100ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

113CNQ100ASL

μέρους: 4418

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 55A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 810mV @ 55A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
111CNQ045ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

111CNQ045ASM

μέρους: 3691

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 55A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 610mV @ 55A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
111CNQ045ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

111CNQ045ASL

μέρους: 3663

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 55A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 610mV @ 55A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
115CNQ015A
Vishay Semiconductor Diodes Division

115CNQ015A

μέρους: 3629

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 15V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 55A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 370mV @ 55A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
112CNQ030ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

112CNQ030ASL

μέρους: 3678

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 55A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 490mV @ 55A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
112CNQ030ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

112CNQ030ASM

μέρους: 3654

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 55A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 490mV @ 55A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
115CNQ015ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

115CNQ015ASM

μέρους: 3703

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 15V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 55A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 370mV @ 55A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
113CNQ100A
Vishay Semiconductor Diodes Division

113CNQ100A

μέρους: 3655

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 55A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 810mV @ 55A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
110CNQ045A
Vishay Semiconductor Diodes Division

110CNQ045A

μέρους: 3673

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 55A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 540mV @ 55A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
112CNQ030A
Vishay Semiconductor Diodes Division

112CNQ030A

μέρους: 3657

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 55A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 490mV @ 55A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
111CNQ045A
Vishay Semiconductor Diodes Division

111CNQ045A

μέρους: 3692

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 55A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 610mV @ 55A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
16CTQ100STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ100STRR

μέρους: 3680

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 720mV @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
16CTQ100STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ100STRL

μέρους: 3603

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 720mV @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
16CTQ080STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ080STRR

μέρους: 3660

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 720mV @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
16CTQ100-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ100-1

μέρους: 3603

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 720mV @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
16CTQ080STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ080STRL

μέρους: 3691

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 720mV @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών