Τύπος τρανζίστορ: LDMOS, Συχνότητα: 2.66GHz, Κέρδος: 15dB, Τάση - Δοκιμή: 28V, Τρέχουσα βαθμολογία: 10µA,
Τύπος τρανζίστορ: LDMOS, Συχνότητα: 2.14GHz, Κέρδος: 15.5dB, Τάση - Δοκιμή: 28V, Τρέχουσα βαθμολογία: 10µA,
Τύπος τρανζίστορ: LDMOS, Συχνότητα: 960MHz, Κέρδος: 18.5dB, Τάση - Δοκιμή: 30V, Τρέχουσα βαθμολογία: 10µA,
Τύπος τρανζίστορ: LDMOS, Συχνότητα: 920MHz ~ 960MHz, Κέρδος: 18dB, Τάση - Δοκιμή: 30V,
Τύπος τρανζίστορ: LDMOS, Συχνότητα: 2.17GHz, Κέρδος: 17.5dB, Τάση - Δοκιμή: 30V,
Τύπος τρανζίστορ: LDMOS, Συχνότητα: 945MHz, Κέρδος: 17dB, Τάση - Δοκιμή: 26V,
Τύπος τρανζίστορ: LDMOS (Dual), Συχνότητα: 1.99GHz, Κέρδος: 20dB, Τάση - Δοκιμή: 28V,
Τύπος τρανζίστορ: LDMOS, Συχνότητα: 1.99GHz, Κέρδος: 14.5dB, Τάση - Δοκιμή: 28V,
Τύπος τρανζίστορ: LDMOS, Συχνότητα: 3.4GHz ~ 3.6GHz, Κέρδος: 14dB, Τάση - Δοκιμή: 30V,
Τύπος τρανζίστορ: pHEMT FET, Συχνότητα: 3.55GHz, Κέρδος: 9dB, Τάση - Δοκιμή: 6V,
Τύπος τρανζίστορ: LDMOS, Συχνότητα: 880MHz, Κέρδος: 21.2dB, Τάση - Δοκιμή: 28V,
Τύπος τρανζίστορ: LDMOS, Συχνότητα: 880MHz, Κέρδος: 16.5dB, Τάση - Δοκιμή: 26V,
Τύπος τρανζίστορ: LDMOS, Συχνότητα: 1.99GHz, Κέρδος: 17.2dB, Τάση - Δοκιμή: 28V,
Τύπος τρανζίστορ: LDMOS, Συχνότητα: 880MHz, Κέρδος: 17.8dB, Τάση - Δοκιμή: 26V,
Τύπος τρανζίστορ: LDMOS, Συχνότητα: 1.81GHz, Κέρδος: 17.5dB, Τάση - Δοκιμή: 28V,
Τύπος τρανζίστορ: LDMOS, Συχνότητα: 2.17GHz, Κέρδος: 18.5dB, Τάση - Δοκιμή: 28V,
Τύπος τρανζίστορ: LDMOS, Συχνότητα: 960MHz, Κέρδος: 18.5dB, Τάση - Δοκιμή: 26V,
Τύπος τρανζίστορ: LDMOS, Συχνότητα: 945MHz, Κέρδος: 18.8dB, Τάση - Δοκιμή: 28V,
Τύπος τρανζίστορ: LDMOS, Συχνότητα: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Κέρδος: 13.5dB, Τάση - Δοκιμή: 28V,
Τύπος τρανζίστορ: LDMOS, Συχνότητα: 1.93GHz ~ 1.99GHz, Κέρδος: 17.9dB, Τάση - Δοκιμή: 28V,
Τύπος τρανζίστορ: LDMOS, Συχνότητα: 3.4GHz ~ 3.6GHz, Κέρδος: 15dB, Τάση - Δοκιμή: 30V,
Τύπος τρανζίστορ: LDMOS, Συχνότητα: 1.99GHz, Κέρδος: 15dB, Τάση - Δοκιμή: 28V,
Τύπος τρανζίστορ: N-Channel GaAs HJ-FET, Συχνότητα: 12GHz, Κέρδος: 13dB, Τάση - Δοκιμή: 2V, Τρέχουσα βαθμολογία: 60mA, Σχήμα θορύβου: 0.65dB,
Τύπος τρανζίστορ: HFET, Συχνότητα: 2GHz, Κέρδος: 16dB, Τάση - Δοκιμή: 2V, Τρέχουσα βαθμολογία: 120mA, Σχήμα θορύβου: 0.6dB,
Τύπος τρανζίστορ: HFET, Συχνότητα: 12GHz, Κέρδος: 13.5dB, Τάση - Δοκιμή: 2V, Τρέχουσα βαθμολογία: 70mA, Σχήμα θορύβου: 0.3dB,
Τύπος τρανζίστορ: HFET, Συχνότητα: 12GHz, Κέρδος: 13dB, Τάση - Δοκιμή: 2V, Τρέχουσα βαθμολογία: 15mA, Σχήμα θορύβου: 0.5dB,
Τύπος τρανζίστορ: Silicon Carbide MESFET, Συχνότητα: 1.95GHz, Κέρδος: 15dB, Τάση - Δοκιμή: 48V, Τρέχουσα βαθμολογία: 1.8A, Σχήμα θορύβου: 3.1dB,
Τύπος τρανζίστορ: N-Channel JFET, Τρέχουσα βαθμολογία: 20mA,
Τύπος τρανζίστορ: N-Channel JFET, Συχνότητα: 400MHz, Τάση - Δοκιμή: 15V, Τρέχουσα βαθμολογία: 10mA, Σχήμα θορύβου: 4dB,
Τύπος τρανζίστορ: N-Channel JFET, Συχνότητα: 400MHz, Τάση - Δοκιμή: 15V, Τρέχουσα βαθμολογία: 15mA, Σχήμα θορύβου: 4dB,
Τύπος τρανζίστορ: LDMOS, Συχνότητα: 960MHz, Κέρδος: 15dB, Τάση - Δοκιμή: 28V, Τρέχουσα βαθμολογία: 250mA,
Τύπος τρανζίστορ: LDMOS, Συχνότητα: 500MHz, Κέρδος: 14.5dB, Τάση - Δοκιμή: 12.5V, Τρέχουσα βαθμολογία: 7A,
