Menu
ΕλλάδαΕλλάδα
RFQ / παραγγελία
0RFQ / παραγγελία

Τρανζίστο&

BUK9608-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9608-55A,118

μέρους: 81443

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 55V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 75A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 25A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών
BSS138LT3
ON Semiconductor

BSS138LT3

μέρους: 281

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 50V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών
BSS123LT3
ON Semiconductor

BSS123LT3

μέρους: 305

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών
BSS123LT3G
ON Semiconductor

BSS123LT3G

μέρους: 251

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών
BS170RLRPG
ON Semiconductor

BS170RLRPG

μέρους: 339

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών
BS170RLRP
ON Semiconductor

BS170RLRP

μέρους: 277

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών
BS170G
ON Semiconductor

BS170G

μέρους: 6047

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών
BS108G
ON Semiconductor

BS108G

μέρους: 5654

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 250mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 2.8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 100mA, 2.8V,

Στη λίστα επιθυμιών
BS107G
ON Semiconductor

BS107G

μέρους: 6088

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 250mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών
BS107ARL1G
ON Semiconductor

BS107ARL1G

μέρους: 245

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 250mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 Ohm @ 250mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών
BS107ARL1
ON Semiconductor

BS107ARL1

μέρους: 306

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 250mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 Ohm @ 250mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών
BS170P
Diodes Incorporated

BS170P

μέρους: 82285

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 270mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών
BSS87L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS87L6327HTSA1

μέρους: 311

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 240V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 260mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 260mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών
BSS84PW
Infineon Technologies

BSS84PW

μέρους: 246

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 150mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών
BSS84PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS84PL6327HTSA1

μέρους: 264

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 170mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών
BSS192PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS192PL6327HTSA1

μέρους: 303

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 250V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 190mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 190mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών
BSS7728N
Infineon Technologies

BSS7728N

μέρους: 298

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών
BSS138NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS138NL6327HTSA1

μέρους: 227

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 230mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών
BSS138W E6327
Infineon Technologies

BSS138W E6327

μέρους: 295

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 280mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών
BSS123L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS123L6327HTSA1

μέρους: 228

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών
BSP92PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP92PL6327HTSA1

μέρους: 265

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 250V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 260mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 260mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών
BSP89L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP89L6327HTSA1

μέρους: 257

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 240V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 350mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών
BSP613PL6327HUSA1
Infineon Technologies

BSP613PL6327HUSA1

μέρους: 321

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.9A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 2.9A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών
BSP372L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP372L6327HTSA1

μέρους: 290

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1.7A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310 mOhm @ 1.7A, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών
BSP373L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP373L6327HTSA1

μέρους: 6061

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1.7A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.7A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών
BSP316PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP316PL6327HTSA1

μέρους: 238

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 680mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 680mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών
BSP317PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP317PL6327HTSA1

μέρους: 303

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 250V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 430mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 430mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών
BSP297L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP297L6327HTSA1

μέρους: 301

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 660mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών
BSP315PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP315PL6327HTSA1

μέρους: 253

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1.17A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 1.17A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών
BSP296L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP296L6327HTSA1

μέρους: 270

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1.1A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.1A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών
BSP295L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP295L6327HTSA1

μέρους: 290

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1.8A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών
BSP171PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP171PL6327HTSA1

μέρους: 6106

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1.9A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών
BSP170PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP170PL6327HTSA1

μέρους: 276

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1.9A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών
BSO300N03S
Infineon Technologies

BSO300N03S

μέρους: 251

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 5.7A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.2A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών
BSO200N03S
Infineon Technologies

BSO200N03S

μέρους: 232

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 7A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.8A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών
BSO072N03S
Infineon Technologies

BSO072N03S

μέρους: 276

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 12A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 15A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών