Τρανζίστο&

NXP USA Inc.

BUK7C1R8-60EJ

μέρους: 6258

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK7C1R4-40EJ

μέρους: 2529

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK7C1R2-40EJ

μέρους: 2518

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK9Y9R9-80E,115

μέρους: 2547

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 80V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK9Y98-80E,115

μέρους: 2588

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 80V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK9Y7R8-80E,115

μέρους: 2582

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 80V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK9E8R5-40E,127

μέρους: 6339

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 75A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 20A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK9E6R1-100E,127

μέρους: 2510

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 25A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK9E4R9-60E,127

μέρους: 2556

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 100A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK9E4R4-80E,127

μέρους: 2545

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 80V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK9E3R7-60E,127

μέρους: 2588

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK9E2R8-60E,127

μέρους: 2547

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK9E3R2-40E,127

μέρους: 2570

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 100A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK9E1R9-40E,127

μέρους: 2502

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK9E2R3-40E,127

μέρους: 2570

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK9E1R6-30E,127

μέρους: 2576

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 25A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK9E15-60E,127

μέρους: 2588

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 54A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK956R1-100E,127

μέρους: 6333

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 25A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK958R5-40E,127

μέρους: 2510

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 75A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 20A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK954R4-80E,127

μέρους: 2512

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 80V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK952R8-60E,127

μέρους: 2572

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK952R3-40E,127

μέρους: 6262

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK951R9-40E,127

μέρους: 2587

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK951R6-30E,127

μέρους: 6281

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 25A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK7E4R0-80E,127

μέρους: 2546

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 80V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK9515-60E,127

μέρους: 2529

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 54A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK7E1R6-30E,127

μέρους: 6300

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK753R5-60E,127

μέρους: 2561

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 25A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK751R6-30E,127

μέρους: 6316

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK7Y08-40B/C,115

μέρους: 2544

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 75A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK7Y25-40B/C,115

μέρους: 2544

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 35.3A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 20A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK655R0-75C,127

μέρους: 2509

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 75V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 25A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK654R6-55C,127

μέρους: 2550

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 55V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 100A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 25A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK653R7-30C,127

μέρους: 2483

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 100A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 25A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

NXP USA Inc.

BUK654R0-75C,127

μέρους: 2520

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 75V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

μέρους: 6258

μέρους: 2529

μέρους: 2518

μέρους: 2547

μέρους: 2588

μέρους: 2582

μέρους: 2573

μέρους: 6339

μέρους: 2510

μέρους: 2556

μέρους: 2545

μέρους: 2588

μέρους: 2547

μέρους: 2570

μέρους: 2502

μέρους: 2570

μέρους: 2576

μέρους: 2588

μέρους: 6333

μέρους: 2510

μέρους: 2512

μέρους: 2572

μέρους: 6262

μέρους: 2587

μέρους: 6281

μέρους: 2546

μέρους: 2529

μέρους: 6300

μέρους: 2561

μέρους: 6316

μέρους: 2544

μέρους: 2544

μέρους: 2509

μέρους: 2550

μέρους: 2483

μέρους: 2520