Τύπος | Περιγραφή |
Κατάσταση μέρους | Active |
---|---|
Τύπος FET | 2 N-Channel (Dual) |
Δυνατότητα FET | Logic Level Gate |
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 60V |
Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 13.4nC @ 10V |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 10V |
Ισχύς - Μέγ | 1.12W |
Θερμοκρασία λειτουργίας | 150°C (TJ) |
Τύπος στερέωσης | Surface Mount |
Πακέτο / θήκη | 8-PowerWDFN |
Πακέτο συσκευής προμηθευτή | 8-SOP |
Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
---|---|
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |