| Τύπος | Περιγραφή |
| Κατάσταση μέρους | Active |
|---|---|
| Οδηγημένη διαμόρφωση | High-Side or Low-Side |
| Τύπος καναλιού | Independent |
| Αριθμός οδηγών | 2 |
| Τύπος πύλης | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Τάση - Παροχή | 10V ~ 20V |
| Λογική τάση - VIL, VIH | 1.2V, 2V |
| Τρέχουσα - Μέγιστη έξοδος (Πηγή, Νεροχύτης) | 500mA, 1A |
| Τύπος εισαγωγής | - |
| Υψηλή τάση πλευράς - Max (Bootstrap) | 600V |
| Ώρα άνοδος / πτώσης (τύπος) | 35ns, 16ns |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Τύπος στερέωσης | Surface Mount |
| Πακέτο / θήκη | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Πακέτο συσκευής προμηθευτή | 8-SOIC |
| Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
|---|---|
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
| Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
| Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |
