Τύπος | Περιγραφή |
Κατάσταση μέρους | Active |
---|---|
Τύπος FET | N-Channel |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 700V |
Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 3.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 18.8nC @ 10V |
Vgs (Μέγ.) | ±30V |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 981pF @ 100V |
Δυνατότητα FET | - |
Διασπορά ισχύος (Μέγ.) | 125W (Tc) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Τύπος στερέωσης | Through Hole |
Πακέτο συσκευής προμηθευτή | TO-251 (IPAK) |
Πακέτο / θήκη | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
---|---|
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |