Τύπος | Περιγραφή |
Κατάσταση μέρους | Active |
---|---|
Τύπος FET | P-Channel |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 30V |
Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 9A (Ta) |
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 200µA |
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Vgs (Μέγ.) | +20V, -25V |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1650pF @ 10V |
Δυνατότητα FET | - |
Διασπορά ισχύος (Μέγ.) | 1W (Ta) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | 150°C (TJ) |
Τύπος στερέωσης | Surface Mount |
Πακέτο συσκευής προμηθευτή | 8-SOP |
Πακέτο / θήκη | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
---|---|
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |