Τύπος | Περιγραφή |
Κατάσταση μέρους | Active |
---|---|
Τύπος FET | N-Channel |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 600V |
Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 20A (Ta) |
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (Μέγ.) | ±30V |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1470pF @ 10V |
Δυνατότητα FET | - |
Διασπορά ισχύος (Μέγ.) | 190W (Tc) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | 150°C (TJ) |
Τύπος στερέωσης | Through Hole |
Πακέτο συσκευής προμηθευτή | TO-3P(N) |
Πακέτο / θήκη | TO-3P-3, SC-65-3 |
Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
---|---|
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |