| Τύπος | Περιγραφή |
| Κατάσταση μέρους | Active |
|---|---|
| Τύπος FET | N and P-Channel |
| Δυνατότητα FET | Logic Level Gate |
| Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 200V |
| Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 Ohm @ 1A, 10V, 8 Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | - |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 25V, 200pF @ 25V |
| Ισχύς - Μέγ | - |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C |
| Τύπος στερέωσης | Surface Mount |
| Πακέτο / θήκη | 8-VDFN Exposed Pad |
| Πακέτο συσκευής προμηθευτή | 8-VDFN (6x5) |
| Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
|---|---|
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
| Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
| Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |
