Τύπος | Περιγραφή |
Κατάσταση μέρους | Active |
---|---|
Τύπος FET | N-Channel |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 60V |
Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 10nC @ 5V |
Vgs (Μέγ.) | ±16V |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
Δυνατότητα FET | - |
Διασπορά ισχύος (Μέγ.) | 42.8W (Tc) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Τύπος στερέωσης | Through Hole |
Πακέτο συσκευής προμηθευτή | I-PAK |
Πακέτο / θήκη | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
---|---|
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |