Τύπος | Περιγραφή |
Κατάσταση μέρους | Active |
---|---|
Τύπος FET | P-Channel |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 12V |
Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.2 mOhm @ 4A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 19.5nC @ 4.5V |
Vgs (Μέγ.) | ±10V |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 6V |
Δυνατότητα FET | - |
Διασπορά ισχύος (Μέγ.) | 1.25W (Ta) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | 150°C (TJ) |
Τύπος στερέωσης | Surface Mount |
Πακέτο συσκευής προμηθευτή | 6-UDFNB (2x2) |
Πακέτο / θήκη | 6-WDFN Exposed Pad |
Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
---|---|
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |