| Τύπος | Περιγραφή |
| Κατάσταση μέρους | Active |
|---|---|
| Διαμόρφωση διόδων | 3 Common Cathode |
| Τύπος διόδων | Silicon Carbide Schottky |
| Τάση - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο) | 5A |
| Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν | 1.8V @ 5A |
| Ταχύτητα | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr) | 0ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200µA @ 1200V |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Διασταύρωση | -55°C ~ 175°C |
| Τύπος στερέωσης | Surface Mount |
| Πακέτο / θήκη | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| Πακέτο συσκευής προμηθευτή | DE275 |
| Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
|---|---|
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
| Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
| Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |
