| Τύπος | Περιγραφή |
| Κατάσταση μέρους | Active |
|---|---|
| Τύπος FET | N and P-Channel |
| Δυνατότητα FET | Logic Level Gate |
| Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 20V |
| Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 11.3nC @ 5V |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 632pF @ 10V |
| Ισχύς - Μέγ | 3.1W |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Τύπος στερέωσης | Surface Mount |
| Πακέτο / θήκη | 8-SMD, Flat Lead |
| Πακέτο συσκευής προμηθευτή | 1206-8 ChipFET™ |
| Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
|---|---|
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
| Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
| Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |
