| Τύπος | Περιγραφή |
| Κατάσταση μέρους | Active |
|---|---|
| Τύπος FET | P-Channel |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 20V |
| Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 2A (Tc) |
| Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 215 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 8nC @ 10V |
| Vgs (Μέγ.) | ±12V |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 210pF @ 10V |
| Δυνατότητα FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Διασπορά ισχύος (Μέγ.) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Τύπος στερέωσης | Surface Mount |
| Πακέτο συσκευής προμηθευτή | 8-SO |
| Πακέτο / θήκη | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
|---|---|
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
| Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
| Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |
