| Τύπος | Περιγραφή |
| Κατάσταση μέρους | Active |
|---|---|
| Τύπος FET | N and P-Channel |
| Δυνατότητα FET | Logic Level Gate |
| Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 60V |
| Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 5.3A, 3.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 4.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 665pF @ 15V |
| Ισχύς - Μέγ | 3.1W, 3.4W |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Τύπος στερέωσης | Surface Mount |
| Πακέτο / θήκη | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Πακέτο συσκευής προμηθευτή | 8-SO |
| Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
|---|---|
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
| Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
| Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |
