Τύπος | Περιγραφή |
Κατάσταση μέρους | Active |
---|---|
Τύπος FET | N-Channel |
Τεχνολογία | SiCFET (Silicon Carbide) |
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 650V |
Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 93A (Tc) |
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28.6 mOhm @ 36A, 18V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 18.2mA |
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 133nC @ 18V |
Vgs (Μέγ.) | +22V, -4V |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 2208pF @ 500V |
Δυνατότητα FET | - |
Διασπορά ισχύος (Μέγ.) | 339W (Tc) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | 175°C (TJ) |
Τύπος στερέωσης | Through Hole |
Πακέτο συσκευής προμηθευτή | TO-247N |
Πακέτο / θήκη | TO-247-3 |
Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
---|---|
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |