Τύπος | Περιγραφή |
Κατάσταση μέρους | Active |
---|---|
Τύπος FET | P-Channel |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 30V |
Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 3.9nC @ 5V |
Vgs (Μέγ.) | ±20V |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 10V |
Δυνατότητα FET | - |
Διασπορά ισχύος (Μέγ.) | 1W (Ta) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | 150°C |
Τύπος στερέωσης | Surface Mount |
Πακέτο συσκευής προμηθευτή | TUMT6 |
Πακέτο / θήκη | 6-SMD, Flat Leads |
Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
---|---|
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |