Τύπος | Περιγραφή |
Κατάσταση μέρους | Active |
---|---|
Τύπος FET | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
Δυνατότητα FET | Logic Level Gate, 4V Drive |
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 30V |
Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 3.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 5nC @ 10V |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 10V |
Ισχύς - Μέγ | 2.2W |
Θερμοκρασία λειτουργίας | - |
Τύπος στερέωσης | Surface Mount |
Πακέτο / θήκη | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Πακέτο συσκευής προμηθευτή | 8-SOP |
Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
---|---|
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |