| Τύπος | Περιγραφή |
| Κατάσταση μέρους | Active |
|---|---|
| Τύπος FET | N and P-Channel |
| Δυνατότητα FET | Logic Level Gate |
| Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 100V |
| Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 2A, 1.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 325 mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 4.7nC @ 5V |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 25V |
| Ισχύς - Μέγ | 1.5W |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | 150°C (TJ) |
| Τύπος στερέωσης | Surface Mount |
| Πακέτο / θήκη | 8-SMD, Flat Lead |
| Πακέτο συσκευής προμηθευτή | TSMT8 |
| Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
|---|---|
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
| Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
| Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |
