| Τύπος | Περιγραφή |
| Κατάσταση μέρους | Active |
|---|---|
| Τύπος FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Δυνατότητα FET | Standard |
| Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 30V |
| Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 390pF @ 10V |
| Ισχύς - Μέγ | 550mW |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | 150°C (TJ) |
| Τύπος στερέωσης | Surface Mount |
| Πακέτο / θήκη | 8-SMD, Flat Lead |
| Πακέτο συσκευής προμηθευτή | TSMT8 |
| Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
|---|---|
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
| Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
| Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |
