Τύπος | Περιγραφή |
Κατάσταση μέρους | Active |
---|---|
Τύπος FET | P-Channel |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 20V |
Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 3.5A (Ta) |
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Vgs (Μέγ.) | ±12V |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 10V |
Δυνατότητα FET | - |
Διασπορά ισχύος (Μέγ.) | 510mW (Ta) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | 150°C (TJ) |
Τύπος στερέωσης | Surface Mount |
Πακέτο συσκευής προμηθευτή | TO-236AB |
Πακέτο / θήκη | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
---|---|
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |