| Τύπος | Περιγραφή |
| Κατάσταση μέρους | Active |
|---|---|
| Τύπος FET | P-Channel |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 30V |
| Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4 mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 96nC @ 10V |
| Vgs (Μέγ.) | ±20V |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 3500pF @ 25V |
| Δυνατότητα FET | - |
| Διασπορά ισχύος (Μέγ.) | 1W (Ta), 102W (Tc) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | 175°C (TJ) |
| Τύπος στερέωσης | Surface Mount |
| Πακέτο συσκευής προμηθευτή | 8-HSON |
| Πακέτο / θήκη | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
|---|---|
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
| Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
| Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |
