| Τύπος | Περιγραφή |
| Κατάσταση μέρους | Active |
|---|---|
| Οδηγημένη διαμόρφωση | Low-Side |
| Τύπος καναλιού | Independent |
| Αριθμός οδηγών | 2 |
| Τύπος πύλης | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Τάση - Παροχή | 4.5V ~ 35V |
| Λογική τάση - VIL, VIH | 0.8V, 3V |
| Τρέχουσα - Μέγιστη έξοδος (Πηγή, Νεροχύτης) | 4A, 4A |
| Τύπος εισαγωγής | Non-Inverting |
| Υψηλή τάση πλευράς - Max (Bootstrap) | - |
| Ώρα άνοδος / πτώσης (τύπος) | 9ns, 8ns |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Τύπος στερέωσης | Surface Mount |
| Πακέτο / θήκη | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Πακέτο συσκευής προμηθευτή | 8-SOIC-EP |
| Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
|---|---|
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
| Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
| Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |
