Τύπος | Περιγραφή |
Κατάσταση μέρους | Active |
---|---|
Τύπος FET | P-Channel |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 40V |
Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 6.2A (Ta) |
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 6.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (Μέγ.) | ±20V |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 3220pF @ 25V |
Δυνατότητα FET | - |
Διασπορά ισχύος (Μέγ.) | 2.5W (Ta) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Τύπος στερέωσης | Surface Mount |
Πακέτο συσκευής προμηθευτή | 8-SO |
Πακέτο / θήκη | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
---|---|
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |