Τύπος | Περιγραφή |
Κατάσταση μέρους | Active |
---|---|
Τύπος FET | N-Channel |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 650V |
Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 58.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.92mA |
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 215nC @ 10V |
Vgs (Μέγ.) | ±20V |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 9900pF @ 400V |
Δυνατότητα FET | - |
Διασπορά ισχύος (Μέγ.) | 446W (Tc) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Τύπος στερέωσης | Through Hole |
Πακέτο συσκευής προμηθευτή | PG-TO247-4 |
Πακέτο / θήκη | TO-247-4 |
Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
---|---|
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |